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高性能量子光源研发项目验收测试大纲评审活动在南京举行

 

  10月17日,基于铌酸锂光子芯片的高性能量子光源研制和应用开发项目相关产品的性能测试、可靠性测试和环境适应性测试验收大纲评审活动在南京举行。来自中国仪器仪表学会分析仪器分会、中国计量科学研究院、南京大学、中国科学技术大学等学会、高校、研究所和企业的院士、学者教授和高级技术人员组成了专家组开展相关评审工作。集萃激光公司(jicuilaser.com)杨和逸研究员级高级工程师也应邀作为专家组成员参加了本次评审活动。

 

 

  铌酸锂光子芯片具有硅基电子芯片无可比拟的优势。简单来说,硅基芯片靠的是"电子跑电路"。电子在纳米级的电路里穿梭,速度再快也有物理极限,现在3nm制程,电子迁移率已经快到天花板了。而光子芯片靠的是"光子跑波导"。光子在特殊材料里传播的速度接近真空光速,每秒30万公里,而且不会像电子那样发热、漏电。举个例子,电子就像在拥堵的早高峰马路上开车,光子就像在空旷的高铁轨道上疾驰。从功耗来看,光子芯片因为不依赖电阻,理论上功耗可以远低于电子芯片。在相同的计算速度下,光子芯片的功耗仅为电子芯片的极低倍数甚至更低,这对数据中心的电力成本意义重大。

 

 

  采用光子芯片代替硅基芯片不仅可以从已到技术极限并且竞争到白日化的国际半导体制程技术和装备垄断中抽身,还可以实现光子芯片的“换道超车”,摆脱西方国家对硅基芯片的断供威胁。可喜的是,我国已在光子芯片的制造上成功实现了量产。

 

  本次评审的项目相关量子光源产品采用了铌酸锂光子芯片。该产品是通过物理手段产生单光子或纠缠光子对的器件,是光量子信息处理的核心组件。该项目属于国家重点研发计划“基础科研条件与重大科学仪器设备研发”专项,由相关高校、专业企业利用各自基础条件优势和技术积累合作研制。

 

 

 

  在评审活动中,评审专家还就我国仪器创新政策、单光子三维成像理论研究、太赫兹功率测量和高维量子纠缠的制备与认证等内容进行了交流。(集萃激光-杨和逸)

 

 

 

 

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发布时间:2022-03-30 17:01:03
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